Toshiba développe le premier module MOSFET double carbure de silicium (SiC) 2 200 V du secteur qui contribue à un rendement élevé et à une réduction des effectifs des équipements industriels

Toshiba : MG250YD2YMS3, le premier module MOSFET double carbure de silicium (SiC) 2 200 V du secteur.

KAWASAKI, Japon--(BUSINESS WIRE)--28 août 2023--

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (« Toshiba ») a développé le « MG250YD2YMS3 », le premier module MOSFET double carbure de silicium (SiC) 2 200 V du secteur pour les équipements industriels. Le nouveau module a un courant de drain (DC) de 250 A et utilise les puces SiC MOSFET de troisième génération de la société. Il convient aux applications utilisant DC1500V, telles que les systèmes d'alimentation photovoltaïque et les systèmes de stockage d'énergie. Les expéditions en volume commencent aujourd’hui.

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Toshiba : MG250YD2YMS3, le premier module MOSFET double carbure de silicium (SiC) 2 200 V du secteur. (Graphique : Business Wire)

Les applications industrielles comme celles mentionnées ci-dessus utilisent généralement une puissance de 1 000 V CC ou moins, et leurs dispositifs d'alimentation sont principalement des produits de 1 200 V ou 1 700 V. Cependant, anticipant une utilisation généralisée du DC1500V dans les années à venir, Toshiba a lancé le premier produit 2200V du secteur.

Le MG250YD2YMS3 offre une faible perte de conduction avec une faible tension drain-source (détection) de 0,7 V (typ.) [2]. Il offre également une perte de commutation à l'activation et à la désactivation inférieure de 14 mJ (typ.) [3] et 11 mJ (typ.) [3] respectivement, soit une réduction d'environ 90 % [4] par rapport à un IGBT au silicium (Si) typique. Ces caractéristiques contribuent à une efficacité accrue des équipements. L'obtention d'une faible perte de commutation permet également de remplacer le circuit conventionnel à trois niveaux par un circuit à deux niveaux avec un nombre de modules inférieur, contribuant ainsi à la miniaturisation de l'équipement.

Toshiba continuera de répondre aux besoins du marché en matière de haute efficacité et de réduction des effectifs industriels.

Remarques:

[1] Parmi les modules MOSFET double SiC. Enquête Toshiba, août 2023.

[2] Condition de test : ID =250A, V GS =+20V, T ch =25°C

[3] Condition de test : V DD = 1 100 V, ID = 250 A, T ch = 150 °C

[4] Comparaison Toshiba de la perte de commutation pour un module Si 2 300 V et MG250YD2YMS3, le nouveau module MOSFET entièrement SiC, en août 2023 (les valeurs de performances pour le module Si 2 300 V sont une estimation Toshiba basée sur des articles publiés en mars 2023 ou avant.)

Applications

Équipement industriel

- Systèmes de production d'énergie renouvelable (systèmes d'énergie photovoltaïque, etc.)

- Systèmes de stockage d'énergie

- Équipements de commande de moteur pour équipements industriels

-Convertisseur DC-DC haute fréquence, etc.

Caractéristiques

Spécifications principales

(Tc =25°C sauf indication contraire)

Numéro d'article

MG250YD2YMS3

Nom du package Toshiba

2-153A1A

Absolu

maximum

notes

Tension drain-source V DSS (V)

2200

Tension grille-source V GSS (V)

+25 / -10

Courant de drain (DC) ID (A)

250

Courant de drain (pulsé) I DP (A)

500

Température du canal T ch (°C)

150

Tension d'isolement V isol (Vrms)

4000

Électrique

caractéristiques

Tension drain-source (détection)

V DS(on)sens (V)

ID = 250 A, V GS = + 20 V,

Tch ＝25°C

typ.

0,7

Tension source-drain (détection)

V SD(on)sens (V)

EST =250A, VGS =+20V,

Tch ＝25°C

typ.

0,7

Hors tension source-drain (détection)

V SD(off)détection (V)

EST ＝250A, VGS =-6V,

Tch ＝25°C

typ.

1.6

Perte de commutation à la mise sous tension

E sur (mJ)

VDD = 1100 V,

ID =250A, T ch ＝150°C

typ.

Perte de commutation d'arrêt

E éteint (mJ)

typ.

Inductance parasite L sPN (nH)

typ.

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MG250YD2YMS3

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Dispositifs d'alimentation SiC

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